Инвентаризация:2205

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 300W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 11.5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 2290 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7

Инвентаризация: 1432

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 13820

Top