Инвентаризация:1557

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 98A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 26.9mOhm @ 41A, 18V
  • Материал феррулы 375W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 17.6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-8
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 109 nC @ 18 V
  • 3460 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

Top