Инвентаризация:6293

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 81A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 23.4mOhm @ 42A, 18V
  • Материал феррулы 312W
  • Барьерный тип 4.8V @ 22.2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 1200 V
  • 170 nC @ 18 V
  • 4532 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 40

SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 480

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

Top