Инвентаризация:5341

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 29A, 18V
  • Материал феррулы 176W
  • Барьерный тип 4.8V @ 15.4mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 750 V
  • 94 nC @ 18 V
  • 2320 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 269

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 169

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 480

750V/23MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 762

Top