Инвентаризация:1669

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 27A, 18V
  • Материал феррулы 262W
  • Барьерный тип 5.6V @ 13.3mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 104 nC @ 18 V
  • 1526 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 966

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

750V, 26M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 3841

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

Top