Инвентаризация:6359

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 17A, 18V
  • Материал феррулы 115W
  • Барьерный тип 4.8V @ 8.89mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 750 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 1460 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR

Инвентаризация: 441

SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L

Инвентаризация: 169

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

Top