Инвентаризация:6214

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 43A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 47mOhm @ 21A, 18V
  • Материал феррулы 176W
  • Барьерный тип 4.8V @ 11.1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 1200 V
  • 91 nC @ 18 V
  • 2335 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 967

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 400

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

Top