Инвентаризация:2015

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 176W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 6.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 74 nC @ 18 V
  • 1473 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

Инвентаризация: 742

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 450

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

Инвентаризация: 866

Top