- Модель продукта NTBG028N170M1
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2242
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 71A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 40mOhm @ 60A, 20V
- Материал феррулы 428W (Tc)
- Барьерный тип 4.3V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -15V
- 1700 V
- 222 nC @ 20 V
- 4160 pF @ 800 V