- Модель продукта G3R20MT17N
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1658
Технические детали
- Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
- Количество витков Chassis Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 26mOhm @ 75A, 15V
- Материал феррулы 523W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение SOT-227
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1700 V
- 400 nC @ 15 V
- 10187 pF @ 1000 V