- Модель продукта G3R20MT12N
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1732
Технические детали
- Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
- Количество витков Chassis Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 105A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 60A, 15V
- Материал феррулы 365W (Tc)
- Барьерный тип 2.69V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение SOT-227
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +20V, -10V
- 1200 V
- 219 nC @ 15 V
- 5873 pF @ 800 V