Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 68A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 50A, 20V
  • Барьерный тип 4V @ 15mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227B
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 161 nC @ 20 V
  • 2790 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

Инвентаризация: 232

SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 1.2KV 55A SOT227

Инвентаризация: 70

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227

Инвентаризация: 26

Top