Инвентаризация:1515

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 50mOhm @ 40A, 20V
  • Барьерный тип 2.4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227B
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 100 nC @ 20 V
  • 1900 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

Инвентаризация: 232

SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

Инвентаризация: 158

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 60

MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

Инвентаризация: 214

SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B

Инвентаризация: 2

MOSFET N-CH 650V 76A SOT227

Инвентаризация: 32

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227

Инвентаризация: 26

Top