Инвентаризация:1560

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 142W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 58 nC @ 20 V
  • 1336 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

Инвентаризация: 158

SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S

Инвентаризация: 88

SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S

Инвентаризация: 40

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 107

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

Инвентаризация: 13

MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B

Инвентаризация: 778

SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 1.2KV 35A SOT227

Инвентаризация: 19

Top