- Модель продукта GCMX080B120S1-E1
- Бренд SemiQ
- RoHS Yes
- Описание SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1560
Технические детали
- Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
- Количество витков Chassis Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
- Материал феррулы 142W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение SOT-227
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 58 nC @ 20 V
- 1336 pF @ 1000 V