Инвентаризация:1588

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 57A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 242W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 124 nC @ 20 V
  • 3110 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC MOSFET N-CH 105A SOT227

Инвентаризация: 232

SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S

Инвентаризация: 40

SIC 1200V 40M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 107

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 60

SICFET N-CH 1.2KV 173A SOT227

Инвентаризация: 0

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 365

Top