- Модель продукта DMWS120H100SM4
- Бренд Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1532
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 37.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 15V
- Материал феррулы 208W (Tc)
- Барьерный тип 3.5V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +19V, -8V
- 1200 V
- 52 nC @ 15 V
- 1516 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Инвентаризация: 88
MOSFET 1200V 25A TO-247
Инвентаризация: 1
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Инвентаризация: 338
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Инвентаризация: 306
