Инвентаризация:1806

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 3A
  • Сопротивление при 25°C 1.32Ohm @ 1.5A, 20V
  • Материал феррулы 69W
  • Барьерный тип 4.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247AB
  • Длина ремня 15V, 20V
  • Шаг Количество +25V, -5V
  • 1700 V
  • 15.5 nC @ 20 V
  • 124 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Инвентаризация: 669

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

Инвентаризация: 1528

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET N-CH 1700V 2A TO247

Инвентаризация: 222

MOSFET 1200V 25A TO-247

Инвентаризация: 1

TRANS SJT 1700V TO247-4

Инвентаризация: 210

N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

Инвентаризация: 338

Top