Инвентаризация:1774

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 98mOhm @ 13A, 18V
  • Материал феррулы 267W (Tc)
  • Барьерный тип 5.5V @ 7.7mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U04
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 2000 V
  • 64 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4

Инвентаризация: 232

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top