Инвентаризация:1615

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 89A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 33mOhm @ 40A, 18V
  • Материал феррулы 576W (Tc)
  • Барьерный тип 5.5V @ 24mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U04
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 2000 V
  • 137 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

Инвентаризация: 5923

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

SIC 1700V 310A

Инвентаризация: 5

Top