Инвентаризация:1682

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 123A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 16.5mOhm @ 60A, 18V
  • Материал феррулы 552W (Tc)
  • Барьерный тип 5.5V @ 48mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U04
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 2000 V
  • 246 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


SIC 1700V 320A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247

Инвентаризация: 1782

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-268

Инвентаризация: 25

PM-DIODE-SIC-SBD-SP6C

Инвентаризация: 1

Top