Инвентаризация:1525

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 59A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 30A, 20V
  • Материал феррулы 278W (Tc)
  • Барьерный тип 3.25V @ 2.5mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение D3PAK
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1700 V
  • 178 nC @ 20 V
  • 3300 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH TO263-7

Инвентаризация: 639

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

MOSFET N-CH 1700V 2A TO268

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-

Инвентаризация: 246

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

TRANS SJT 1700V D3PAK

Инвентаризация: 513

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Инвентаризация: 1527

Top