- Модель продукта G2R120MT33J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2139
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A
- Сопротивление при 25°C 156mOhm @ 20A, 20V
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 3300 V
- 145 nC @ 20 V
- 3706 pF @ 1000 V