- Модель продукта EPC2111
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:21324
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внутренняя отделка контактов 30V
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A (Ta)
- Глубина 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
- Сопротивление при 25°C 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
- Тип симистора 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение Die
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 153697
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Инвентаризация: 38612
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Инвентаризация: 8591
