- Модель продукта EPC2212
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 100V 18A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:155197
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 13.5mOhm @ 11A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 3mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 4 nC @ 5 V
- 407 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 115676
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Инвентаризация: 28265
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
