Инвентаризация:29765

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 24A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 9mOhm @ 10A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 3mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 170 V
  • 7.4 nC @ 5 V
  • 836 pF @ 85 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323

Инвентаризация: 407067

GANFET N-CH 150V 48A DIE

Инвентаризация: 5655

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

Инвентаризация: 1578

TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM

Инвентаризация: 2698

TRANS GAN 200V DIE .022OHM

Инвентаризация: 29056

TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN

Инвентаризация: 1100

TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 51406

Top