Инвентаризация:30556

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 14A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 14A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 2mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 200 V
  • 5.9 nC @ 5 V
  • 600 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

GANFET N-CH 100V 18A DIE

Инвентаризация: 102469

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

Инвентаризация: 8818

Top