- Модель продукта EPC2016C
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 100V 18A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:103969
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 16mOhm @ 11A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 3mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 4.5 nC @ 5 V
- 420 pF @ 50 V