- Модель продукта EPC2012C
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 3A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 200 V
- 1.3 nC @ 5 V
- 140 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 22058
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Инвентаризация: 96061
GANFET N-CH 200V 48A DIE
Инвентаризация: 12891
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 28263
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
