Инвентаризация:29763

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1.7A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 550mOhm @ 100mA, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 80µA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 0.12 nC @ 5 V
  • 14 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

GANFET N-CH 60V 1.7A DIE

Инвентаризация: 40896

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 24334

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

GANFET N-CH 65V 4A DIE

Инвентаризация: 9793

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Инвентаризация: 14164

Top