- Модель продукта EPC8009
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 65V 4A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 500mA, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 65 V
- 0.45 nC @ 5 V
- 52 pF @ 32.5 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Инвентаризация: 533
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 72544
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Инвентаризация: 19824
GANFET N-CH 65V 2A DIE
Инвентаризация: 52737
GANFET N-CH 40V 4A DIE
Инвентаризация: 8591
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Инвентаризация: 8416
