- Модель продукта EPC2050
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание TRANS GAN BUMPED DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 6.3A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 180mOhm @ 6A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 350 V
- 4 nC @ 5 V
- 628 pF @ 280 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 90A DIE
Инвентаризация: 4611
GANFET N-CH 200V 48A DIE
Инвентаризация: 12891
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Инвентаризация: 8818
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Инвентаризация: 23295
GANFET N-CH 100V 4A DIE
Инвентаризация: 8416
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
