Инвентаризация:10318

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 32A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 8mOhm @ 20A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 200 V
  • 17.7 nC @ 5 V
  • 1790 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 48A DIE

Инвентаризация: 12891

TRANS GAN 200V DIE 43MOHM

Инвентаризация: 18274

TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM

Инвентаризация: 2698

TRANS GAN 200V DIE .022OHM

Инвентаризация: 29056

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 38115

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Инвентаризация: 25364

Top