- Модель продукта EPC2218
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 100V DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:16856
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 7mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 16.3 nC @ 5 V
- 2703 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 102469
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Инвентаризация: 1578
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Инвентаризация: 8818
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Инвентаризация: 23295
