Инвентаризация:24795

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 80 V
  • 13.6 nC @ 5 V
  • 1570 pF @ 50 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 16A DIE

Инвентаризация: 35335

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE

Инвентаризация: 3625

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

Инвентаризация: 14425

TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101

Инвентаризация: 25981

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

Top