- Модель продукта EPC2065
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5125
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 3.6mOhm @ 25A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 7mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 80 V
- 12.2 nC @ 5 V
- 1449 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Инвентаризация: 1578
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Инвентаризация: 60719
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
