Инвентаризация:35995

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.6mOhm @ 15A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 40 V
  • 8.5 nC @ 5 V
  • 1111 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


TRANS NPN 12V 1.5A UMT3

Инвентаризация: 0

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 52011

GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE

Инвентаризация: 3625

TRANSISTOR GAN 40V .001OHM

Инвентаризация: 7559

TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA

Инвентаризация: 3921

Top