Инвентаризация:9059

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 1.1mOhm @ 50A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 28mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 40 V
  • 33 nC @ 5 V
  • 4523 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 6.2V 150MW EMD2

Инвентаризация: 28442

GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD

Инвентаризация: 8705

GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE

Инвентаризация: 8818

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA

Инвентаризация: 7026

TRANS PNP 20V 4A SOT23-3

Инвентаризация: 28541

Top