- Модель продукта EPC2071
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 30A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 13mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 26 nC @ 5 V
- 3931 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Инвентаризация: 7559
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Инвентаризация: 60719
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Инвентаризация: 8818
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Инвентаризация: 23295
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
