- Модель продукта EPC2206
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 80V 90A DIE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:62219
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 29A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 13mA
- Максимальное переменное напряжение Die
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 80 V
- 19 nC @ 5 V
- 1940 pF @ 40 V
Сопутствующие товары
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Инвентаризация: 3625
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Инвентаризация: 7559
GANFET N-CH 80V 18A DIE
Инвентаризация: 58288
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
