Инвентаризация:4198

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 16A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 4mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 7.4 nC @ 5 V
  • 851 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323

Инвентаризация: 107884

GANFET N-CH 100V 8.2A DIE

Инвентаризация: 94617

TRANS GAN 170V DIE .009OHM

Инвентаризация: 28265

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA

Инвентаризация: 7026

Top