Инвентаризация:8526

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.3mOhm @ 16A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 5.5mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 8.3 nC @ 5 V
  • 1180 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN 170V DIE .009OHM

Инвентаризация: 28265

TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

Инвентаризация: 1578

GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 72544

TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM

Инвентаризация: 2698

TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA

Инвентаризация: 18924

Top