- Модель продукта EPC2110
- Бренд EPC
- RoHS Yes
- Описание GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа Die
- Скорость 2 N-Channel (Dual) Common Source
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внутренняя отделка контактов 120V
- Толщина внешнего контактного покрытия 3.4A
- Глубина 80pF @ 60V
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 4A, 5V
- Тип симистора 0.8nC @ 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение Die
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 18A DIE
Инвентаризация: 102469
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Инвентаризация: 24334
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Инвентаризация: 18274
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Инвентаризация: 3615
GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Инвентаризация: 4416
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Инвентаризация: 5402
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Инвентаризация: 8818
GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Инвентаризация: 5088
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Инвентаризация: 1100
