Инвентаризация:2600

Технические детали

  • Тип монтажа 7-PowerWQFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 2.2mOhm @ 30A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 11mA
  • Максимальное переменное напряжение 7-QFN (3x5)
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество 6V
  • 150 V
  • 21 nC @ 5 V
  • 2900 pF @ 75 V

Сопутствующие товары


DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

Инвентаризация: 43048

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 38115

TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 51406

Top