Технические детали

• Тип монтажа Die
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 100V
• Толщина внешнего контактного покрытия 23A
• Глубина 800pF @ 50V
• Сопротивление при 25°C 6.3mOhm @ 20A, 5V
• Тип симистора 7nC @ 5V
• Барьерный тип 2.5V @ 5.5mA
• Максимальное переменное напряжение Die