- Модель продукта TP65H015G5WS
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание 650 V 95 A GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2213
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 93A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 18mOhm @ 60A, 10V
- Материал феррулы 266W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 100 nC @ 10 V
- 5218 pF @ 400 V