- Модель продукта TP65H035G4WSQA
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание 650 V 46.5 GAN FET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 47.2A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 30A, 10V
- Материал феррулы 187W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 22 nC @ 10 V
- 1500 pF @ 400 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
Инвентаризация: 737
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Инвентаризация: 570
GANFET N-CH
Инвентаризация: 2923
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Инвентаризация: 540
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
