- Модель продукта IGT60R070D1ATMA4
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4423
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 31A (Tc)
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 1.6V @ 2.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-3
- Шаг Количество -10V
- 600 V
- 380 pF @ 400 V