- Модель продукта IGLD60R070D1AUMA3
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2989
Технические детали
- Тип монтажа 8-LDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 15A (Tc)
- Материал феррулы 114W (Tc)
- Барьерный тип 1.6V @ 2.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-LSON-8-1
- Шаг Количество -10V
- 600 V
- 380 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Инвентаризация: 100
GAN HV
Инвентаризация: 2294
GAN HV PG-LSON-8
Инвентаризация: 0
GAN HV
Инвентаризация: 4106
GANFET N-CH
Инвентаризация: 959
