- Модель продукта IGLR60R190D1XUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание GAN HV
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5606
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 12.8A (Tc)
- Материал феррулы 55.5W (Tc)
- Барьерный тип 1.6V @ 960µA
- Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-6
- Шаг Количество -10V
- 600 V
- 157 pF @ 400 V