- Модель продукта GAN3R2-100CBEAZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2315
Технические детали
- Тип монтажа 8-XFBGA, WLCSP
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A
- Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 5V
- Материал феррулы 394W
- Барьерный тип 2.5V @ 9mA
- Максимальное переменное напряжение 8-WLCSP (3.5x2.13)
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 12 nC @ 5 V
- 1000 pF @ 50 V