Инвентаризация:2315

Технические детали

  • Тип монтажа 8-XFBGA, WLCSP
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A
  • Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 5V
  • Материал феррулы 394W
  • Барьерный тип 2.5V @ 9mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-WLCSP (3.5x2.13)
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 12 nC @ 5 V
  • 1000 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 40V 29A DIE

Инвентаризация: 34495

GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

Инвентаризация: 14425

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Инвентаризация: 263

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 1971

150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G

Инвентаризация: 4057

N-CHANNEL MOSFET,DFN5060

Инвентаризация: 17697

MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D

Инвентаризация: 1571

650 V 13 A GAN FET

Инвентаризация: 5887

Top